台积电和FinFET时代

2021-06-21 13:19:16 来源:EETOP
英特尔开创了FinFET时代,但此后不久就被代工厂夺走了FinFET的主导权。2009年,英特尔英特尔开发者大会上推出了22纳米FinFET晶圆,并宣布芯片将在2011年下半年上市。果然,第一款FinFET芯片(代号为Ivey Bridge)于2011年5月正式发布。英特尔22纳米工艺确绝对是一种真正的变革性工艺技术。

英特尔在22nm之后,英特尔推出了14nm,不过这已经推迟了较长时间,而且其产量受到挑战(双重成像技术FinFET),这使得代工厂能够迎头赶上(TSMC 16nm 和三星 14nm)。三星在 14nm 上做得非常好,赢得了相当多的业务,包括苹果iPhone 的一部分。

台积电对 FinFET 采取了不同的方法。在掌握了 20nm 的双重成像技术之后,台积电在16nm制程上采用了FinFET,密度小于Intel 14nm。三星 14nm 与台积电 16nm 的密度相似,但三星却假装自己能与英特尔竞争。这就是为什么流程节点现在是营销术语,我认为。

这一切都始于我所说的苹果半步过程开发方法。台积电每年都会为苹果公司推出新的工艺版本。在此之前,过程就像美酒,只有在符合摩尔定律的前提下才会被打开。TSMC继续在HVM (7nm)工艺中添加部分EUV层,然后以非常可控的方式将更多的EUV层添加到5nm和3nm,从而实现卓越的良率学习和打破记录的工艺斜坡。

Intel 14nm也是“Intelvs TSMC”营销战开始的时候。英特尔坚持认为台积电 20nm 是失败的,因为它不包括 FinFET,代工厂不能跟随英特尔,因为他们是 IDM,而台积电只是一家没有内部设计经验的代工厂。

正如我们现在所知,英特尔在很多方面都错了。首先,代工业务是一项服务业务,有一个庞大的合作生态系统,这使IDM代工厂处于明显的劣势。看看英特尔IDM 2.0战略的结果将是有趣的,但大多数人猜测它将比以前的尝试更加失败

现在让我们快速看一看台积电FinFET流程收入从2019年第一季度开始以及随后几年的第一季度对比:
 





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